HBM产能军备竞赛，再添一枚重磅筹码。
当地时间7月4日，美光科技正式启动日本广岛工厂的扩建工程，总投资规模达1.5万亿日元（约合93亿美元），全部产能将聚焦高带宽存储器（HBM）生产，预计2028年夏季开始出货。投资参考网记者梳理发现，这是美光近十年来最大规模的海外产能扩张动作，同时也是日本政府重振本土半导体产业的关键落子。
一边是AI浪潮下HBM需求持续暴涨，三星、SK海力士早已跑马圈地、占据九成以上市场份额；另一边是美光姗姗来迟，要等到2028年才能正式量产交付。这笔93亿美元的豪赌，到底是卡位下一代存储周期的关键布局，还是步人后尘的无效投入？
93亿美元扩建项目落地，日本政府补贴超七千亿日元
据公开资料显示，本次扩建项目选址于美光日本广岛工厂，是美光先进存储产能的核心布局。项目总投资1.5万亿日元，约合93亿美元，核心定位为生产包括HBM在内的先进存储芯片，以满足人工智能浪潮带来的旺盛需求。
美光科技首席执行官Sanjay Mehrotra在奠基仪式上表示，美光首批用于人工智能核心存储技术——HBM的生产晶圆，就是在广岛制造的。进一步来看，广岛工厂并非全新建设的生产基地，而是美光在2013年收购破产的日本DRAM制造商尔必达存储器公司后接管的资产。
美光日本分公司代表董事Kota Nosaka称，广岛工厂最大的优势在于能够快速向客户交付最先进、高性能的产品，在这里开发下一代芯片，直接关系到美光的整体战略布局。
从配套支持来看，日本政府为本次项目提供了高额补贴。日本经济产业省已承诺提供最高5000亿日元的补贴；连同研发支持资金在内，日本政府迄今已累计为美光提供约7750亿日元的支持。
日本经济再生大臣赤泽亮正公开表示，半导体不仅支持数字化转型和绿色转型的实现，从经济安全角度来看，也是极其重要的战略材料。他同时表态，如果未来有其他海外芯片企业希望在日本建设工厂，政府也将“竭尽所能”提供支持。
此外，目前广岛工厂所需芯片材料约80%来自日本本土供应商。尽管日本在成品半导体制造领域已逐渐失去主导地位，但在先进芯片材料和设备领域仍拥有众多领先企业，美光扩产将进一步带动本土上游产业链的需求。
三巨头集体扩产，HBM赛道进入产能军备竞赛
事实上，美光本次扩产并非孤立事件，而是全球存储三巨头集体加码高端存储产能的缩影。
就在本周早些时候，SK海力士宣布，计划投资80万亿韩元（约合514.6亿美元），在韩国忠清北道首府清州市新建一座NAND存储芯片工厂。此前三星电子也已多次上调HBM产能规划，加速下一代HBM4产品的研发与量产进度。
公开资料显示，当前全球HBM市场呈现“一超两强”的竞争格局：SK海力士凭借先发优势占据主要市场份额，三星紧随其后加速追赶，美光则相对滞后，产能与技术进度均落后于韩国厂商。
随着AI大模型与高端GPU对显存带宽的要求持续提升，HBM已成为半导体领域增速最快的细分赛道之一，也成为头部存储厂商争夺的核心制高点。从行业趋势来看，HBM单价高、技术壁垒强，是存储厂商提升盈利水平、抢占高端市场的关键抓手。
以产业逻辑看，日本政府之所以大手笔补贴美光扩产，本质是“借船出海”：借助海外龙头的产能落地，带动本土半导体材料、设备企业的订单与技术升级，巩固日本在全球半导体上游的优势地位。美光工厂80%的材料本土化采购比例，正是日本产业政策想要达成的核心效果。
2028年量产存变数，周期风险不容忽视
对于美光而言，本次广岛扩建的战略价值十分明确：一方面补齐自身在HBM高端存储领域的产能短板，缩小与韩国厂商的技术与规模差距；另一方面深度绑定日本半导体产业链，借助政府补贴降低扩产成本，同时贴近本土材料供应链提升交付效率。
不过行业内也存在不同声音。有分析指出，当前HBM的高速增长主要由生成式AI浪潮驱动，但技术迭代与行业周期存在较强不确定性。美光量产时间定在2028年，距离现在还有两年时间，届时AI存储需求是否仍维持当前高增速、HBM技术路线是否发生迭代、行业是否会出现产能过剩，都存在变数。
同时，全球存储行业本身具备强周期属性，历史上多次出现头部企业集体扩产过后，产能集中释放导致价格大幅下跌、行业陷入亏损周期的情况。当前三星、SK海力士、美光三巨头同步加码高端存储产能，既可能共同做大AI存储的市场蛋糕，也可能埋下未来供需失衡的隐患。
美光这93亿美元的HBM扩产，说到底就是在给日本半导体产业做嫁衣，自身根本撼动不了韩厂的垄断地位。
文章来源于网络。发布者：火星财经，转载请注明出处：https://www.sengcheng.com/article/126946.html
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