目前，英特尔各部门的表现普遍不佳，但展望未来，晶圆带服务（IFS）似乎有可能扭转公司的局面。在前执行长Pat Gelsinger 的领导下，英特尔在晶圆代工部门方面积极投资与发展，这最终导致英特尔在某种程度上必须与供应链进行垂直合作。
虽然，过去的事情并不顺利，但未来似乎出现曙光，这是因为英特尔的Intel 18A 节点制程即将到来。这项制程技术在2025 年VLSI 研讨会上进行发表，并且英特尔公布了令人印象深刻的成果。
英特尔一开始就透露，Intel 18A 制程技术通过整合PowerVia、BSPDN 等技术，相较于上一代的intel 3，密度提升超过30%。在PPA 比较中，Intel 18A 在标准Arm 核心架构的芯片上，1.1V 的电压达成了25% 的速度提升和36% 的能耗降低。除此之外，Intel 18A 的面积利用率比Intel 3 更高，这代表着该制程可以达成更好的面积效率，并具有更高密度设计的潜力。
有趣的是，英特尔还展出电压下降图，描绘了高性能条件下节点的稳定性，并且由于Intel 18A 的PowerVia 背后供电技术，使得电压下降能够提供更稳定的电力传输。而为了支援Intel 18A 的性能，该文件还附上了一个单元比较。该比较显示，通过PowerVia 背后供电技术，英特尔达成了更紧密的单元封装，并提高了面积效率，这仅是因为通过被横供电技术的导入，使得其在正面布线中释放了更多的空间。
因此，从这个角度来看，英特尔的Intel 18A 制程是迄今为止代工厂最强大的节点制程，随着良率的提高，市场上的确希望看到有决定性的结果。与同业相较，Intel 18A 制程的SRAM 密度与台积电的N2 制程相当，这代表着该公司在节点优势方面已成功与台积电相当的竞争优势。
市场预计，将从Panther Lake SoC 和Xeon 的Clearwater Forest CPU 开始，看到Intel 18A 的实际应用。就外部产品流程整合而言，如果英特尔能够达成良率和量产目标，我们最早可以在2026 年看到终端产品的出现。
台积电未来约30%的2nm及以下产能将位于美国
台积电在2025 年一季度财报法人说明会上宣布，待美国子公司 TSMC Arizona 的六座晶圆厂完工后，该企业未来约 30% 的 2nm 及以下先进制程产能将位于亚利桑那州。
台积电董事长暨总裁魏哲家表示，2nm 将成为 TSMC Arizona 的主要节点。除此前已确认将导入 N2 和 A16 工艺技术的 Fab 3 外，第二阶段第一座晶圆厂 Fab 4 也将支持 N2 和 A16；而未来的 Fab 5 和 Fab 6 则瞄准更先进的技术，具体情况将视客户需求决定。
据悉，iPhone 18系列将采用2nm工艺打造的A20系列处理器，新工艺可以带来明显的性能与能效提升，但该工艺的代工费用也更高。
在3nm工艺节点上，台积电将代工费用提高了20%，这就已经让业界高呼价格太高，导致采用该工艺的芯片价格大涨。2nm工艺的成本只会更高，而面对这些额外的成本，苹果大概率就是直接转嫁到消费者身上。
对于 TSMC Arizona 的研发设施，台积电表示该主要研发中心员工总数将达到约 1000 人（约为本部的十分之一），首要目标是为当地晶圆厂提供独立运营所需的支持，未来有望扩展到更丰富的领域。
三星2nm工艺良品率持续提升，目前已超过40%
此前有报道称，三星在2nm（SF2）工艺的测试生产中实现了高于预期的初始良品率，达到30%以上。三星计划在2025年第四季度量产2nm工艺，为Exynos 2600的大规模生产做好准备。
据TECHPOWERUP报道，近日三星2nm工艺开发团队取得了令人满意的实验性生产里程碑，开发当中的2nm工艺在良品率方面的表现比之前的3nm工艺要更好，2nm工艺的良品率已经提升到40%以上。按照目前的推进速度，有可能刚好赶上Exynos 2600的量产。
虽然三星在2nm工艺上有了不错的进展，但是这种表现并不足够令人满意。竞争对手台积电（TSMC）在去年12月对2nm工艺的试产当中，良品率就已超过60%，传闻现在已提升至70%至80%，接近于量产的水平。
SF2集成了三星第三代GAA（Gate-All-Around）架构晶体管技术，相比于SF3（3nm），性能提高了12%，功率效率提高了25%，芯片面积减少了5%。三星还打算在2nm制程节点上引入“BSPDN（背面供电网络）”技术，将电源轨置于晶圆的背面，以消除电源线和信号线之间的瓶颈，解决FSPDN（前端供电网络）造成的前端布线堵塞问题，进一步提升性能和能效，并缩小芯片面积。
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