黄仁勋称中国芯片仅落后美国几纳秒，真实技术鸿沟：多维差距与结构性突破

当地时间 9 月 26 日，英伟达 CEO 黄仁勋在科技播客节目《Bg2 Pod》中做出惊人表态：“中国现在和美国的差距就几纳秒”——这个仅为十亿分之一秒的时间单位，彻底颠覆了外界“中国芯片落后美国两至三年”的固有认知。面对“中国造不出 AI 芯片”“缺乏制造能力”的质疑，他直言“这些都太荒谬了”，强调“中国擅长的一件事就是制造”，并警告轻视中国芯片潜力者“极其天真”。这一言论迅速引爆科技圈，“黄仁勋称中国芯片仅落后美国几纳秒”登上热搜，其以时间而非工艺节点衡量差距的视角，为中美芯片竞争的讨论埋下充满张力的伏笔。

言论背景：敏感时点的战略发声

黄仁勋“中国芯片仅落后美国几纳秒”的言论，诞生于2025年中美芯片产业博弈白热化的关键节点。彼时，美国对华芯片出口管制政策正经历“收紧-松绑-附加条件”的复杂调整，而英伟达作为全球AI芯片市场的主导者，正面临技术封锁与商业利益的剧烈冲突。这一表态既是对美国政府产业遏制政策的公开回应，也是企业在市场份额下滑压力下的战略自救，其双重动机需置于中美科技竞争与全球供应链重构的宏大背景下审视。

美国出口管制的“政策摇摆”与企业困境

2025年以来，美国特朗普政府对华芯片出口管制呈现出阶段性加码与战术性松绑并存的特征。1月上台后，美国政府即明确将打击美企对华AI芯片出口列为优先事项；4月突然叫停英伟达专为中国设计的H20芯片及AMD的MI308芯片出口，直接导致英伟达计提高达55亿美元的减值损失。然而，仅三个月后的7月，美国商务部又批准H20芯片恢复出货，但附加了苛刻条件——要求从对华芯片销售收入中抽成15%，这一“政治分润”条款凸显了技术管制背后的经济博弈逻辑9。至8月，美国商务部开始发放H20芯片出口许可证，为英伟达重返中国市场打开政策窗口。

这种政策反复对企业经营造成显著冲击。数据显示，受A100、H100等旗舰产品禁售影响，2025年英伟达来自中国的营收占比已从巅峰时期的近30%骤降至13%11。更严峻的挑战在于中国本土替代加速：随着华为昇腾910B芯片批量交付及Atlas 900 A3超级计算集群系统落地，英伟达在中国AI芯片市场的份额已从95%下滑至50%，“技术代差”优势正被系统性削弱。

H20芯片：商业突围与政策妥协的产物

在这一背景下，H20芯片成为英伟达平衡政策合规与市场需求的核心载体。作为A100/H100的“降配版”产品，H20的性能仅为H100的15%-30%，通过阉割算力和调整互联带宽以满足美国出口限制要求。但其恢复销售对英伟达具有战略意义：一方面，该产品可覆盖中国市场对中高端AI训练芯片的迫切需求，维系与阿里巴巴、DeepSeek等核心客户的合作关系；另一方面，通过H20的现金流支撑，英伟达得以投入下一代“合规芯片”的研发——目前其已启动B30A芯片的谈判，目标是在符合当前限制的前提下提供比H20更优的性能，这是自2022年美国首次实施出口管制以来，英伟达第二次为中国市场定制人工智能加速器。

言论动机：技术话语与商业利益的双重叙事

黄仁勋的“几纳秒”言论，本质上是一套融合技术竞争辩护与市场策略铺路的双重叙事。从技术层面看，其通过模糊“代际差距”的量化表述（将芯片产业的代际竞争简化为“几纳秒”的时间差），弱化美国管制政策的合理性——若技术差距已微乎其微，持续加码出口限制便失去逻辑支点7。这种话语策略与他此前的公开表态一脉相承：2025年3月至5月，黄仁勋曾多次强调中国AI芯片市场规模可能达到500亿美元，失去这一市场将导致美国“巨大损失”，并直言出口管制政策“完全错误”“失败的”。

从商业层面看，该言论发表于英伟达恢复H20销售的关键窗口期（距美国商务部发放许可证仅一个月），且恰逢黄仁勋访华前夕，具有明显的市场预热意图。更值得关注的是，此时中国监管部门已对英伟达启动反垄断调查，并就H20芯片安全漏洞问题进行约谈，黄仁勋的表态亦暗含缓解监管压力、修复企业形象的考量。

博弈升级：中美产业链的双向反制

这一言论的深层背景，是中美在芯片领域从“单向管制”向“双向博弈”的格局转变。2025年9月，中国商务部接连发起对美模拟芯片的反倾销调查及集成电路领域的反歧视调查，标志着中国在科技领域从被动防御转向主动反击。与此同时，中国半导体自给率显著提升，2025年上半年国内AI芯片自给率较2022年大幅增长，华为昇腾910B芯片已批量交付，并计划2027年前推出性能超越当前水平的下一代产品，全球AI芯片市场格局正被重塑。

在此背景下，英伟达的战略摇摆具有典型性：既要应对美国政府的政治压力，又需在快速变化的中国市场维持竞争力。黄仁勋的“几纳秒”言论，正是这种全球科技巨头在大国博弈中艰难平衡的缩影——用技术话语消解政策壁垒，以商业逻辑对抗政治干预，最终服务于企业在全球产业链中的生存与扩张。

“几纳秒”的隐喻解析：从静态代差到动态竞速

黄仁勋以“几纳秒”（十亿分之一秒）形容中美芯片技术差距的表述，实则暗含对全球半导体产业竞争范式的重构——其核心隐喻在于否定“静态技术代差”的传统认知，强调差距已从固化的工艺节点代际差，转化为动态性能层面的细微竞争。这种技术哲学的转变，标志着中国芯片产业通过非对称突破与全产业链能力构建，已将竞争推入“动态竞速”新阶段。

从工艺节点固化到性能动态博弈：代差论的解构

传统视角下，芯片技术差距被简化为工艺节点的代际鸿沟，例如“中国自主制程停留在14nm，而美国英特尔已宣布2025年量产1.8nm芯片”的静态对比。但“几纳秒”的隐喻本质上颠覆了这一框架：当差距缩小到动态响应速度、能效比优化等微观性能维度时，静态的“代差”概念已失去解释力。中国报告大厅数据显示，中美制造工艺差距已从三年前的2-3代缩短至半代以内，在AI专用芯片领域，中国通过2.5D封装技术与分布式内存架构优化，特定场景下推理性能已达美国同类产品的98%。这种“非对称追赶”模式——即在先进制程受限的情况下，通过架构创新、封装技术突破实现性能逼近——正是动态竞速的典型特征。

动态竞争的实证：从单点突破到全产业链竞速

中国芯片产业的动态竞争力已通过多维度实践得到验证。在设计领域，华为不仅批量交付搭载昇腾910B芯片的Atlas 900 A3系统，更制定了2027年前推出下一代昇腾芯片以超越当前性能的路线图，其进展被黄仁勋评价为“面对强大、创新、行动迅速的竞争对手”。制造环节，中芯国际N+2工艺（等效7nm）实现突破，中国在扇出型晶圆级封装（FOWLP）领域良品率达95%，与国际一流水平同。设备与材料端，中微半导体5nm刻蚀机量产、长江存储232层3D NAND良率突破70%，标志着全产业链自主能力的构建。

这种全链条进步催生了“竞速式创新”：中信里昂数据显示，中美AI技术差距已从一年以上缩短至约3个月，中国工程师人才储备甚至推动开源模型迭代速度反超美国。黄仁勋特别强调“英伟达做了30年，华为刚做了几年就已能相提并论”，这一对比直指动态竞争的核心——时间压缩效应下，后发者通过高强度研发投入与生态协同，持续压缩技术追赶周期。

竞速时代的竞争逻辑：从技术模仿到生态重构

“几纳秒”隐喻的深层意义，在于揭示半导体产业竞争逻辑的转变：从单一技术参数的静态比拼，转向“技术迭代速度×生态适配能力”的动态较量。中国企业通过“996”工作文化与工程师红利，在特定领域构建起“快速试错-敏捷迭代”的竞争优势。例如，在AI专用芯片领域，美国虽保持7nm GAA晶体管结构领先，但中国通过分布式内存架构优化，在能效比指标上实现反超；半导体设备商北方华创、中微公司的全球市场份额持续提升，进一步削弱静态技术壁垒。

这种转变意味着，未来竞争将更依赖创新体系的动态响应能力：即从技术跟随转向场景定义，通过应用生态反向驱动技术迭代。正如黄仁勋所言，中国芯片产业已成为“充满活力、创业精神、高科技的现代化产业”，其竞争潜力不再由单一工艺节点定义，而取决于在动态竞速中持续创造“几纳秒”级优势的系统能力。

真实技术鸿沟：多维差距与结构性突破

全球半导体产业的技术竞争呈现出显著的非对称格局，中国与美国在芯片产业链的不同环节呈现出”代差与突破并存”的复杂态势。这种结构性特征既反映在制程工艺的代际差距上，也体现在特定领域的技术突围中，需通过”短板-长板”的辩证视角进行系统分析。

一、先进制程与核心环节的代差现实

在芯片制造的”金字塔尖”领域，制程工艺差距构成最显著的技术鸿沟。根据 2024 年行业数据，美国英特尔已宣布计划 2025 年下半年量产 1.8 nm 芯片，而中国目前最先进的自主可控制程仍停留在 14 nm 水平，两者相差约 5 代技术代际。这种差距的背后是产业链上游核心技术的集体性缺失：在 EDA 软件领域，美国企业占据全球 74% 的市场份额，中国本土企业仅占 3%；逻辑芯片设计环节，美国占比 67%，中国仅为 5%；半导体制造设备领域，美国以 41% 的份额形成垄断，中国本土设备商占比仅 2%。

从产业控制力看，美国半导体产业虽制造产能占比从 1990 年的 37% 降至 2022 年的 10%，但其通过 IP 授权、设计工具、核心设备等上游环节仍掌控全球芯片产业 50.4% 的收入。中国半导体本土生产自给率提升缓慢，2020 年仅为 15.9%，预计 2025 年增至 19.4%，且超过 50% 的产能来自三星、台积电等外资企业在华工厂，反映出产业链自主可控的深层挑战。

二、产业链关键环节的结构性突破

尽管在先进制程领域存在显著代差，但中国在存储芯片、封装测试、特定芯片设计等领域实现了从”跟跑”到”并跑”的突破，形成局部优势。

存储芯片领域实现跨越式追赶。长江存储已量产 232 层 3D NAND 芯片，良品率达到三星同等水平；长鑫存储成功实现 LPDDR5X 内存芯片量产，打破美韩企业在 DRAM 领域的垄断。这标志着中国在存储芯片这一价值超 1000 亿美元的市场中，从技术追随者转变为规则制定者之一。

封装测试领域形成规模优势。中国占据全球封装测试产能的 46%，在 Chiplet 封装、SiP 系统级封装等先进封装技术上与国际领先水平同步。中芯国际进入全球五大晶圆代工厂行列，市场份额约 5%，成为全球产能扩张的重要力量。

AI 芯片与自主生态构建取得突破。华为昇腾 910B 性能达到英伟达 A100 的 80%，壁仞科技 BR100 算力密度突破 4.8 Tflops/mm 逼近国际最新架构；华为 Atlas 900 A3 SuperPoD 系统搭载昇腾芯片批量出货，通过优化自主软件堆栈实现对 CUDA 生态的替代。2024 年中国半导体领域 PCT 专利申请量达 2920 件，超过美国的 1501 件，显示出创新活力的快速提升。

三、产业链环节差距对比与追赶路径

通过产业链各环节的量化对比，可以更清晰地识别中国半导体产业的优势领域与薄弱环节：

总体而言，中国半导体产业的技术追赶呈现出”点突破、线延伸、面拓展”的特征：在存储芯片、封装测试等”长板”领域持续扩大优势，在 AI 芯片、制造设备等”潜力板”加速技术迭代，同时通过政策支持与生态构建逐步弥补先进制程、EDA 等”短板”。这种多维并进的追赶路径，正在重塑全球半导体产业的竞争版图。

中国突围路径：从单点突破到生态构建

中国芯片产业的突围进程正经历从关键技术单点突破向全产业链生态协同的战略升级，通过“技术攻坚-产能扩张-生态闭环”的递进式发展，逐步构建起独立于传统体系的自主创新体系。这一路径不仅体现在芯片设计与制造环节的性能跃升，更延伸至设备材料、软件生态、区域协同等全链条能力的系统性提升。

技术突围：从单点突破到多领域攻坚

在计算芯片领域，华为昇腾系列实现跨越式发展，昇腾910B芯片已批量出货并制定2027年技术路线图，下一代产品目标直指当前国际顶尖性能水平；其在AI训练芯片市场的份额已达35%，2024年国产GPU/CPU整体出货量同比激增217%，形成对传统市场格局的有效冲击。制造工艺方面，中芯国际14nm工艺良率提升至95%，7nm/5nm技术攻关进入关键阶段，而长江存储、长鑫存储分别实现32层/64层3D NAND及19nm DRAM芯片量产，填补了国内存储领域的技术空白。

设备与材料环节的突破尤为关键。璞璘科技研发的纳米压印设备支持10nm以下线宽，较传统光刻机产能提升3倍、成本降低60%，为先进制程提供了替代性解决方案；北方华创（Naura）2024年营收预计达276-317.8亿元（同比增长25%-43.93%），净利润51.7-59.5亿元（增长32.6%-52.6%），杭可科技（CC Tech）净利润更是实现785.75%-1007.18%的爆发式增长，印证了设备国产化进程的加速。

产能扩张：政策与市场双轮驱动的规模效应

产能扩张的核心动力来自政策引导与市场需求的双重拉动。国家集成电路产业投资基金二期投入超500亿元，重点扶持AI芯片设计、先进封装等关键环节；“东数西算”工程与智能汽车产业则创造了海量算力需求，推动2024年中国半导体领域一级市场融资额达387亿美元，远超美国的164亿美元。

企业端的资本开支呈现爆发式增长：阿里宣布未来三年投入3800亿元建设云和AI硬件基础设施，2024年资本支出增速达366%；腾讯同期资本开支767.6亿元（同比增长221%），并实现基础设施全面适配国产芯片。这种“政策输血+市场反哺”的模式，推动中国本土芯片供应占比有望在2025年提升至40%。

生态协同：从技术闭环到开发者生态重构

生态构建已成为突围的核心壁垒。在硬件-软件闭环层面，华为通过昇腾芯片+昇思AI框架形成技术底座，Atlas 900 A3超级计算集群系统实现批量交付；中科院旗下海光信息吸收合并中科曙光后，打造“芯片-硬件-云服务”全链条体系，其深算一号DCU性能对标英伟达A800，合并后市值突破4000亿元。

开发者生态的重构尤为关键。华为昇思、百度飞桨等本土AI框架已分流150万曾参与英伟达CUDA生态的中国开发者，DeepSeek等开源推理模型通过“逐步思考+多答案选项”机制重塑开发范式。与此同时，长三角（全链条）、京津冀（设计/AI芯片）、西北（气候/电力优势）三大产业集群形成区域协同，通过上下游联动降低创新成本，例如摩尔线程、沐曦股份等GPU企业加速推进IPO，商汤科技拆分的曦望公司半年内完成15亿元融资，聚焦AI大模型推理芯片。

从华为昇腾910B的批量出货到中芯国际14nm工艺95%的良率，从设备商营收43.93%的增速到开发者生态的规模化迁移，中国芯片产业已超越单点技术突破阶段，进入“技术-产能-生态”三位一体的系统性突围新阶段。随着2027年技术路线图的推进，下一代芯片性能有望实现对国际顶尖水平的追赶甚至超越，为全球半导体产业注入新的增长逻辑。

NVIDIA的中国困局：市场收缩与替代压力

市场主导地位的崩塌：从垄断到失守半壁江山

NVIDIA在中国AI芯片市场的统治地位正经历断崖式下滑。作为曾经占据95%市场份额的绝对领导者，其2025年市场份额已腰斩至50%，中国区收入占比从2023年的19%骤降至个位数水平。这一衰退轨迹背后，是美国出口管制政策与中国本土替代力量的双重挤压。黄仁勋曾公开警示，中国AI芯片市场规模未来可能达到500亿美元，美国企业若持续缺席将造成”巨大损失”，这番言论折射出NVIDIA对该市场的深度依赖。

市场收缩的直接表现是产品需求的断崖式下跌。专为中国市场定制的RTX 6000D芯片遭遇罕见冷遇，多家科技巨头明确拒绝下单，导致其商业价值近乎归零。投资者对中国市场替代风险的担忧已反映在资本市场，2025年初DeepSeek开源模型上线后，NVIDIA市值缩水约16%，黄仁勋3月讲话后股价单日下跌3.4%至115.43美元，与2023-2024年350%的涨幅形成鲜明对比。

产品策略困局：特供版芯片的”双输”困境

面对管制政策，NVIDIA采取的”特供版”策略陷入进退维谷。2025年4月，专为中国设计的H20芯片因美国国家安全审查被紧急禁售，直接导致公司计提55亿美元资产减值，第一季度毛利率显著下降并被迫削减先进制程订单。尽管7月禁令解除，这款被戏称为”阉割版”的产品仍难以挽回颓势——其FP16算力仅为国际版H100的60%，内存带宽降至80%，性能差距使中国企业将采购需求限定于短期推理场景。

更深层的信任危机加剧了H20的市场阻力。中国监管部门对其潜在安全漏洞提出质疑，担忧存在”后门”或”终止开关”，政府已建议国内企业谨慎采购15。美国商务部长卢特尼克”不向中国出售最好、第二好甚至第三好的产品”的言论更被视为对中国市场的侮辱，进一步削弱了H20的接受度。这种”性能阉割+信任缺失”的双重困境，使NVIDIA的产品策略沦为”为合规而合规”的无效努力。

替代浪潮：从单点突破到体系化颠覆

中国本土芯片企业的崛起正在重构市场格局。华为昇腾910B、壁仞科技BR100等产品性能已逼近NVIDIA同类产品，其中昇腾芯片在特定场景性能达到美国同类产品的98%，中国超算中心已批量部署深算一号等替代方案。更具威胁的是，中国芯片产业已从”单点攻坚”进入”体系化突破”阶段，华为等头部企业通过开源生态强化主导力，构建起”芯片+软件+应用”的完整生态闭环。

这种体系化能力使替代效应从简单的产品替换升级为生态替代。黄仁勋坦言，若美国持续限制先进芯片出口，华为等企业将”覆盖整个中国市场”。市场数据印证了这一担忧：摩尔线程、沐曦股份等新兴企业加速崛起，华为昇腾系列已占据国内AI服务器市场35% 的份额，直接冲击NVIDIA的生态主导地位。

战略焦虑的本质：生态霸权的松动

黄仁勋”中国芯片仅落后美国几纳秒”的言论，实则暴露了NVIDIA对生态霸权松动的深层焦虑。长期以来，NVIDIA凭借CUDA软件栈构建了难以替代的生态壁垒，但中国企业正通过自主软件堆栈研发打破这一垄断。当被问及市场担忧时，黄仁勋反复强调中国市场对”获取revenue、税收和就业机会”的重要性，这与其此前对中国市场500亿美元规模的判断形成呼应，揭示出企业对失去全球最大增长市场的恐惧。

财务数据更直观反映了这种焦虑的现实基础：因出口管制，NVIDIA不仅减记55亿美元库存，更放弃了约150亿美元潜在销售收入，损失税款约30亿美元30。在全球芯片供应链重构的背景下，NVIDIA的中国困局已超越单纯的市场份额争夺，演变为一场关于技术标准主导权与产业生态控制权的战略博弈——而这场博弈的天平，正随着中国芯片产业的体系化突破加速倾斜。

未来竞合：技术变革与地缘博弈的双轨叙事

黄仁勋“几纳秒差距”的论断，实则揭示了全球半导体产业竞争已进入动态平衡的临界状态——技术迭代的加速度与地缘博弈的不确定性，共同构成了中美芯片产业竞合的双轨叙事。在这条赛道上，差距既非静态固化的数字，也非不可逾越的鸿沟，而是在技术突破与政策调整的持续互动中不断重构。

技术变革：架构迭代与自主创新的竞速赛

全球半导体技术正经历从“制程驱动”向“架构创新+生态重构”的范式转移。英伟达的技术路线图清晰展现了这一趋势：Blackwell Ultra 将于 2025 年下半年推出，2026 年至 2028 年间逐步迭代至 Rubin、Rubin Ultra 及 Feynman 架构，核心逻辑从单芯片性能竞赛转向多芯片复合系统，黄仁勋甚至预测“复合型芯片会有不同的形态，或许它会像桌子这么大”。这种架构跃迁不仅重新定义了竞争规则，也为后发者创造了技术奇点窗口。

中国正通过“硬突破+软生态”双轮驱动缩小差距。在硬件领域，7 纳米制程实现量产突破，28 纳米光刻机通过“一带一路”技术合作将产能扩大至每年 42 台，逐步降低对 ASML 的依赖；在软件生态层面，自研 AI 框架与开源 RISC-V 架构的普及，正削弱 CUDA 生态的垄断性。更具战略意义的是新兴赛道的布局：超导量子计算原型机“祖冲之三号”可在百秒内完成传统超算需 60 亿年的任务，集成光量子芯片成果被《自然》评价为“重要里程碑”，这些突破使中国在下一代计算技术竞争中占据关键位势。

市场数据印证了这种追赶态势：2025 年全球半导体设备需求预计达 1280 亿美元，中国占比近 40%；在 AI 推理市场，中国企业凭借 H20 芯片 141GB 大显存优势实现“从无人问津到供不应求”的逆转，而英伟达 Blackwell Ultra 虽推理性能提升 40 倍，却需面对地缘政策带来的市场准入限制。这种“需求腹地+局部技术优势”的组合，正在重塑全球产业权力结构。

地缘博弈：限制与反制的动态平衡

美国的“小院高墙”策略陷入自相矛盾的政策困境。一方面，其联合日本、荷兰限制关键设备对华出口，试图维持半导体技术代差；另一方面，企业压力迫使政策松动——2025 年批准 H20 芯片出货，并公开要求“中国继续购买美国半导体”。黄仁勋的警告直指核心矛盾：“用政治壁垒阻断技术流动终将被市场规律反噬”，他认为美国企业在华竞争力是“提升美国经济成就和地缘政治影响力”的关键杠杆。

中国则以“自主化+开放型反制”构建战略主动性。在技术自主层面，出口管制反而加速“去美化”进程，通过政策支持、产业集群和国际合作形成体系化能力；在开放姿态上，外交部明确表示“希望成为开放市场，欢迎企业来华参与竞争”，这种虚实结合的策略既避免孤立，又为本土产业争取发展空间。更具冲击力的是资源反制能力：中国控制全球 90% 稀土精炼产量、93% 多晶硅产能和 70% 锂电池材料份额，2025 年 9 月启动的对美芯片反倾销调查，标志着竞争进入“以攻代守”新阶段。

全球产业链呈现“去美化”与“区域化”并行的复杂格局。中国通过“一带一路”技术合作扩散 28nm 产能，联合金砖国家搭建“去美元化”技术交易网络，俄罗斯协助伊朗等国以易货贸易获取中国芯片；而美国《芯片法案》补贴未能阻止技术扩散，反而推升产业链成本——区域化趋势导致各类芯片平均价格整体性上涨。这种“筑墙”与“拆墙”的博弈，使得企业不得不在地缘分歧中游走，英伟达维持中国市场立足点的努力即是典型案例。

全球科技治理的范式重构

当前竞争已超越单纯技术或市场范畴，触及全球科技治理规则的底层逻辑。中美在半导体领域形成的“错位发展”格局——美国主导 7 纳米以下先进制程与 EUV 设备，中国在 14-7 纳米量产、先进封装和新兴材料领域突破——客观上构成了技术多样性的基础。但这种平衡脆弱性显著：区域化产业链导致资源配置效率下降，政策不确定性迫使企业维持多重供应链，最终损害全球创新速度。

黄仁勋关于“AI 竞争是持久战”的判断，揭示了更深层的治理挑战。当技术变革节奏（如 Blackwell 到 Feynman 的四年三代架构迭代）远超政策调整周期，传统地缘博弈思维与技术全球化属性之间的矛盾将持续激化。中国推动的“开放市场”理念与美国的“价值观同盟”策略，本质上是两种治理范式的竞争——前者基于市场规则的包容性创新，后者依托政治同盟的排他性技术体系。

未来三年，量子计算接口与碳基半导体等下一代技术的标准制定权争夺，将成为检验全球科技治理能力的试金石。历史经验表明，技术封锁从未真正阻止创新扩散，反而可能催生平行体系。在这个意义上，“几纳秒”的差距警示我们：竞争的终极形态不是技术垄断，而是能否构建兼顾安全与效率、开放与自主的全球科技生态。